【摘要】为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规律;最后,在样机上进行了验证。结果表明,文章中所述优化开关特性的方法对全SiC逆变器的工程应用有一定的指导意义。
【关键词】
《建筑知识》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国医疗管理科学》 2015-05-12
《中国果菜》 2015-07-08
《中外医疗》 2015-07-06
《中外医疗》 2015-07-03
《重庆电子工程职业学院学报》 2015-07-02
010-56259535
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