基于SiC MOSFET非线性电容C_GD的Matlab电路仿真模型

更新时间:2023-05-28

【摘要】基于Matlab和Simulink,提出了一种针对非线性器件的建模方法。以CREE公司的型号为C2M0080120D的SiC MOSFET为例,对其非线性电容CGD进行等效电路建模,采用曲线拟合的方法,使原本在Simulink中不易实现的功率器件的非线性电容特性得以表征,将该模型的特性与datasheet进行对比,模型精度达到97.44%,证明了该模型的准确性。

【关键词】 Matlab Simulink SiC MOSFET 非线性器件 等效电路模型 曲线拟合 仿真模型 建模

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